Ріс.21.Входние (а) і вихідні (б) характеристики транзистора, включеного за схемою з ОЕ.
Знаходяться h-параметри транзистора по його статичним характеристикам для заданої точки відповідно до формулами, наведеними вище. Причому потрібні не менше двох вхідних і двох вихідних характеристик. У довідниках зазвичай наводяться дві вхідні характеристики, наприклад, і. а також сімейство вихідних характеристик. Як приклад знайдемо h-параметри транзистора для схеми ОЕ.
З вихідних характеристик (рис. 21, б) можна знайти для заданої точки Т параметри і. За приращениям і між точками А і Б при постійній напрузі отримаємо:
Ставлення збільшень і між точками В і Г при постійному струмі бази дає можливість визначити:
. що відповідає вихідному опору 40 кОм.
На вхідних характеристиці (рис.21, а) зазначена точка Т для того ж режиму, що і на вихідних характеристиках. За приращениям і між точками А і Б при постійній напрузі знаходимо:
Для визначення необхідно мати не менше двох вхідних характеристик, знятих при різних. Для нашого випадку:
При визначенні h-параметрів для схеми з ПРО слід враховувати, що визначення параметрів і по сімейству вихідних характеристик дає велику похибку через нахил останніх і як наслідок неможливістю точно визначити величину. що відповідає обраному значенням при розрахунку і приросту при зміні при визначенні.
. .