Нові транзистори OptiMOS ™ Linear FET поєднують низький опір у включеному стані R DS (on) і розширену область безпечної роботи
Компанія Infineon Technologies випустила нову серію транзисторів OptiMOS TM Linear FET. Нове сімейство поєднує в собі краще в своєму класі опір у включеному стані (R DS (on)) як у trench MOSFET і розширену область безпечної роботи властиву планарному MOSFET. Нові транзистори представляють собою компроміс між низьким R DS (on) і придатністю MOSFET транзистора працювати в лінійному режимі. OptiMOS TM Linear FET можуть працювати в області насичення MOSFET з режимом збагачення каналу.
Це відмінне рішення для пристроїв «гарячої заміни», електронних запобіжників і захисних програм, зазвичай використовуваних в телекомунікаціях і системах управління акумуляторами (battery management systems (BMS).
Крім того, стійкий лінійний режим роботи і більш високий імпульсний струм дозволяють скоротити комутаційні втрати, прискорити початок роботи та скоротити час відключення обладнання. Транзистори OptiMOS Linear FET запобігають відмови при короткому замиканні в навантаженні, за рахунок обмеження пускових струмів.
Порівняння області безпечної роботи:
Опір у ввімкненому стані менше на 58%, в порівнянні з найближчої альтернативою:
Асортимент транзисторів сімейства OptiMOS TM Linear FET з робочою напругою 100, 150 і 200В