2.1 Зробимо обчислення струму колектора в режимі насичення:
2.2 Обчислимо значення резистора Rk (Значення Uкенас приймаємо рівним 0,2 В):
Згідно ряду Е24 вибираємо найближче значення резистора 820 Ом. Строго кажучи, значення резистора потрібно округляти в меншу сторону, щоб забезпечити задану вихідну потужність, при цьому треба переконатися, що збільшення потужності не приведе до виходу транзистора з ладу (тобто реальний транзистор треба вибирати із запасом по потужності).
2.3 Визначимо струм бази (приймаємо мінімально можливе значення коефіцієнта h21е):
2.4 Обчислимо Rб (Uбе для кремнієвих транзисторів малої потужності зазвичай становить 0.6 - 0.7В):
Згідно ряду Е24 вибираємо найближчий номінал в меншу сторону - 2.2 ком Можна вибрати і 2.4 кОм, однак в цьому випадку зменшиться і струм бази. При малих значеннях n з'явиться ризик виходу транзистора в активний режим, що може привести до його несправності.
2.5 Для оцінки часу включення і виключення транзистора необхідно знайти 4 тимчасових параметра, описані вище. Однак визначити час наростання і спаду досить складно, тому що вони залежать від ємностей переходів і від ємності навантаження. Для простоти будемо обчислювати час включення по формулі 4.1, а при виключенні транзистора врахуємо лише час розсмоктування. Такий розрахунок можна назвати повним, але він дозволить нам оцінити вплив глибини насичення транзистора на його динамічні характеристики. Так як в довідниках досить важко знайти все постійні часу для транзистора, скористаємося постійної часу розсмоктування зарядів в базі, наведеної у вихідних даних.
tВКЛ = t РАС / n = 200 нс / 1.5 = 133.33 НС
tВИКЛ = tрас * ln n = 200 нс * ln 1.5 = 81.09 нс
3.1 Кремнієвий транзистор малої або середньої потужності і довідкові дані для нього.
3.2 Вихідна потужність, задана для каскаду.
3.3 Напруга живлення каскаду
3.4 Коефіцієнт насичення каскаду
3.5 Час розсмоктування зарядів в базі транзистора