Практична робота № 4
Резистор (англ. Resistor, від лат. Resisto - пручаюся), - пасивний елемент електричного кола, в ідеалі характеризується тільки опором електричному струму, тобто для ідеального резистора в будь-який момент часу повинен виконуватися закон Ома: миттєве значення напруги на резисторі пропорційно току проходить через нього. На практиці ж резистори в тій чи іншій мірі мають також паразитної ємністю, паразитної індуктивністю і нелінійністю вольт-амперної характеристики.
Залежно від призначення резистори діляться наоб-ного призначення і спеціальні (прецизійні, сверхпре-цізіонние, високочастотні, високовольтні, високоме-гаомние).
Резистори загального призначення використовуються в якості навантажень активних елементів, поглиначів, дільників в ланцюгах харчування, елементів фільтрів, шунтів, в RC - ланцюгах формування імпульсних сигналів і т.д. Діапазон номінальних опорів цих резисторів 1 Ом. 10 МОм, номи-нальні потужності розсіювання - 0,125. 100 Вт. Допустимі відхилення опору від номінального значення ± 1; ± 2; ± 5; ± 10; ± 20%. Прикладами резисторів загального призначення служать С2-33, Р1-12 і ін ..
Прецизійні і сверхпрецізіонние резистори відрізняють-ся високою стабільністю параметрів і високою точністю виготовлення (допуск ± 0,0005. 0,5%). Дані резистори застосовуються в основному в вимірювальних приладах, систе-мах автоматики. Діапазон цих резисторів значно ширше, ніж резисторів загального призначення. Прикладами служать резистори Р1-72, Р2-67, С2-10, С2-29, С2-36, Р1-16, Р1-8 і ін.
Високочастотні резистори відрізняються малими влас-ними індуктивністю і ємністю і призначені для рабо-ти в високочастотних ланцюгах, кабелях і волноводах. Прикладами служать резистори Р1-69,
Високовольтні резистори розраховані на роботу при великих (від одиниць до десятків кіловольт) напружених. Прикладами високовольтних резисторів служать Р1-32, Р1-35, С2-33НВ і ін.
Високомегаомние резистори мають діапазон номінальної-них опорів від десятків мегаом до одиниць Тера. Високомегаомние резистори застосовуються в ланцюгах з робо-чим напругою до 400 В і зазвичай працюють в режимі малих струмів. Потужності розсіювання їх невеликі (до 0,5 Вт). Прикладом служить резистор Р1-33.
Залежно від способу захисту від зовнішніх факторів резистори діляться на неізольовані, ізольовані, гер-метизирована і вакуумні.
Неізольовані резистори з покриттям або без нього не допускають торкання своїм корпусом шасі апаратури. Приклад: Р1-69.
Ізольовані резистори мають ізоляційне покриття (лак, компаунд, пластмаса) і допускають торкання корпусом шасі і струмоведучих частин радіоелектронної апаратури (РЕА). Приклади: С5-35В, С5-36В, С5-37В, С5-43В, С5-47В і ін.
Герметизовані резистори мають герметичну кон-струкцію корпусу, яка виключає вплив навколишнього середовища на його внутрішній простір. Герметизація осу-ється, за допомогою опресування спеціальним компаун-будинок.
Вакуумні резистори мають резистивний елемент, примі-щенний в скляну вакуумну колбу.
За способом монтажу резистори підрозділяються на резистори для навісного та друкованого монтажу, для Мікромил-дулею і інтегральних мікросхем.
За матеріалом резистивного елемента резистори діляться на дротові, недротяні, металлофольговие.
Дротові - резистори, в яких резистивним еле-ментом є високоомних дріт (виготовляється з високоомних сплавів: константан, ніхром, нікелін).
Недротяні - резистори, в яких резистивним еле-ментом є плівки або об'ємні композиції з ви-соким питомим опором.
Металлофольговие - резистори, в яких резистивним елементом є фольга певної конфігурації.
Недротяні резистори можна розділити на тонкопле-нічні (товщина шару в нанометрах), товстоплівкові (товщина в частках міліметра), об'ємні (товщина в одиницях міліметра). Приклади: С2-23, С2-33, С2-14, Р1-32, Р1-35, Р1-12 і ін.
Тонкоплівкові резистори підрозділяються на метало-діелектричні, металлоокісние і металізовані з резистивним елементом у вигляді мікрокомпозіціонного шару з діелектрика і металу, або тонкої плівки окису металу, або сплаву металу; вуглецеві і бороуглеродістие, про-водить елемент яких представляє собою плівку пиролитического вуглецю або борорганіческіх з'єднань. До товстоплівкових відносять лакосажевие, керметні і резистори на основі провідних пластмас. Провідні резистивні шари товстоплівкових і об'ємних резисторів представляють собою гетерогенну систему (композицію) з декількох фаз, отримувану механічним змішуванням проводить компонента, наприклад графіту або сажі, металу або оксиду металу, з органічними або неорганічними наповнювачами, пластифікаторами або затверджувачем. Після термообробки утворюється монолітний шар з необхідним комплексом параметрів. Приклади: С2-33, Р1-72, С2-10, С2-36, Р1-8 і ін.
Випускаються промисловістю резистори одного і того ж номіналу мають розкид опорів. Значення можливого розкиду визначається точністю резистора. Випускають резистори з точністю 20%, 10%, 5%, і т. Д. Аж до 0,01% [1]. Номінали резисторів не довільні: їх значення вибираються зі спеціальних номінальних рядів, найбільш часто з номінальних рядів E12 або E24 (для резисторів з точністю до 5%), для більш точних резисторів використовуються більш точні ряди (наприклад E48).
Резистори, що випускаються промисловістю характеризуються також певним значенням максимальної потужності, що розсіюється (випускаються резистори потужністю 0,125Вт 0,25Вт 0,5 Вт 1Вт 2Вт 4Вт?) (Згідно ГОСТ 24013-80 і ГОСТ 10318-80 радянської радіотехнічної промисловістю випускалися резистори наступних номіналів потужностей, в Ватах , Вт. 0.01, 0.025, 0.05, 0.062, 0.125, 0.5, 1, 2, 3, 4, 5, 8, 10, 16, 25, 40, 63, 100, 160, 250, 500)
Існують так само і змінні резистори. що володіють здатністю змінювати свій опір. Їх застосовують для зміни струму, напруги та ін. (Наприклад: зміна гучності і тембру). Найчастіше на принциповій схемі відображаються так:
Позначення резисторів на схемах
У Росії умовні графічні позначення резисторів на схемах повинні відповідати ГОСТ 2.728-74. Відповідно до нього, постійні резистори позначаються наступними чином: