1.4.1.Барьерная (зарядна) ємність переходу. Так як об'ємний заряд є подвійний шар протилежних за знаком нерухомих зарядів, то каж-дий з шарів можна уподібнити обкладанні плоского конденсатора. Відрізни-котельної особливістю його від конденсатора з металевими обкладинками є те, що заряди розподілені по деякому обсягу.
Ємність такого конденсатора визначається відношенням зміни об'ємного заряду до зміни напруги:.
Її назвали бар'єрної або зарядної ємністю p-n переходу.
Теорія показує, що бар'єрну ємність можна обчислити по фор-мулі
ємності звичайного плоского конденсатора:
Оскільки ширина переходу залежить від постійної напруги U. прикладеного до переходу, то і C бар буде залежати від U. Так, для ступеневої
1.4.2. Дифузійна ємність p-n переходу. При прямому зміщенні p-n переходу в p і n областях за рахунок явища інжекції відбувається накопичення рухомих нерівноважних носіїв заряду. Ставлення зміни инжектированного заряду
до изме-рівняно напруги на переході визначає диффузионную ємність, тобто
Для випадку інжекції дірок в n область. де Ip - діркова инжекционная складова струму переходу, а для випадку інжекції електронів в р область. де In - електронна инжекционная складова струму переходу. Ре-зультірующая дифузійна ємність. Як видно, дифузійна ємність буде тим більше, чим більше струм I через електронно-дірковий перехід.
Повна ємність p-n переходу.
При малих зворотних напругах і при прямому зміщенні, переважає дифузійна ємність, а при великих зворотних напругах (| U |> (3¸4) jT) -барьерная.
Наявність ємності переходу призводить до появи ємнісного фазово-го зсуву між струмом і напругою при роботі електронно-діркового переходу на малому змінному струмі. p-n перехід для малої змінної складової струму можна представити у вигляді еквівалентної схеми, поки-занной на ріс.1.15. Зауважимо, що параметри еквівалентної схеми за-висять від постійного зміщення, поданого на перехід. За рахунок ємності p-n переходу погіршуються його випрямляють властивості зі збільшенням частоти змінної напруги.