Контакт металу з напівпровідником
Властивості контакту металу з напівпровідником залежать від роботи виходу електронів
з металу (W0м) і з напів-провідника (W0n або
W0p). Електрони переходять з мате-ріалу з меншою роботою
виходу в матеріал з більшою роботою виходу. При контакті металу з електронним
по-лупроводніком при виконанні умови W0n p елек-трони переходять з напівпровідника в метал. У разі якщо осу-ществляя контакт металу з дірковим полупроводником і виконується умова W0м напівпровідник. І в тому, і в іншому випадку відбудеться збіднення вільними носіями за-ряду приконтактной області напівпровідника. Збіднений шар володіє підвищеним опором третьому, ĸᴏᴛᴏᴩᴏᴇ може змінюватися під впливом зовнішнього напруги. Отже, такий контакт має нелі-лінійного характеристику і є випрямляючим. Пере-ніс зарядів в цих контактах здійснюється основними носіями, і в них відсутні явища інжекції, накопи-лення і розсмоктування зарядів. Τᴀᴋᴎᴍ ᴏϬᴩᴀᴈᴏᴍ, випрями-рами контакти метал-напівпровідник малоін ?? ерціон-ни і служать основою створення діодів з бар'єром Шоттки, що володіють високою швидкодією і малим часом У разі якщо при контакті металу з напівпровідником виконан-вується умова W0м Пріконтактние шар напівпровідника збагачується основними носіями заряду і його опір стає низьким при будь полярності зовнішньої напруги. такий контакт має практично лин ?? ейную характеристику і є невипрямляющімі. Омічними називають контакти, опір кото-яких не залежить від величини і напрямку струму. Іншими словами, це контакти, які мають практично лин ?? їй-ної вольт-амперної характеристикою. Омічні контак-ти забезпечують з'єдн ?? ення напівпровідника з металевих-тичними струмопровідними елементами напівпровідникових приладів. Крім лин ?? ейності вольт-амперної характери-стики, ці контакти повинні мати малий опір і забезпечувати відсутність інжекції носі ?? їй з метал-лов в напівпровідник. Ці умови виконуються шляхом вве-дення між напівпровідником робочої області кристал-ла і металом напівпровідника з підвищеною концентрації-цією домішки (рис. 1.19). Контакт між напівпровідника-ми з однаковим типом електропровідності є Ні-випрямляючим і низькоомним. Метал вибирають так, що-б забезпечити малу контактну різницю потенціалів. Одним із способів отримання омічних кон-тактів є введення в метал домішки, якій легирован напів-провідник. В цьому випадку при сплаву металу з полупровод-ником в контактної області про-разуется тонкий шар виродилися-ного напівпровідника, що відпо-ствует структурі, зображеної на рис. 1.19. Малюнок 1.19 Структура омічного контакту.
Схожі статті