Все описане вище стосувалося роботи транзистора при постійних напругах і токах його електродів. При роботі транзисторів в усі-неністю схемах важливу роль відіграють змінні сигнали з малими амплітудами. Властивості транзистора в цьому випадку визначаються так званими малосигнальних параметрами.
На практиці найбільше застосування отримали малосигнальний h-параметри (читається: аш-параметри). Їх називають також гібридними-ми, або змішаними, через те, що одні з них мають розмірність провідності, інші - опору, а треті - взагалі без-розмірні.
Всього h- параметрів чотири: h11 (аш-один-один), h12 (аш-один-два), h21 (аш-два-один) і h22 (аш-два-два) і визначаються вони наступними виразами:
Запис const є скороченням слова constanta, тобто посто-Янная величина. В даному випадку це означає, що при визначенні параметра h11 збільшення вхідної напруги і вхідного струму вибираються при незмінному (постійному) значенні вихідної напруги U вих. Параметр h11 характеризує вхідний опір біполярного транзистора і вимірюється в Омасі. Більш коротко вираз для визначення параметра h11 записують у вигляді:
при U вих = const
Параметри h12, h21 і h22 визначаються наступними виразами:
_ - коефіцієнт зворотного зв'язку по на-
Iвх = const напрузі, безрозмірна величина;
- коефіцієнт прямої передачі по
U вих = const току, безрозмірна величина;
- вихідна провідність, вимірюється
Iвх = const в Сіменс (См).
Знак означає невелика зміна напруги U або струму Iотносітельно їх значень в статичному режимі.
Все h-параметри можна визначити по статичним характеристи-кам. При цьому параметри h11 і h12 визначаються за вхідними, a h21 і h22 - по вихідних характеристиках. Необхідно тільки мати на увазі, що значення h-параметрів залежать від схеми включення транзистора. Для вказівки схеми включення до цифрових індексах h-параметрів до-додавали буквений індекс: б - якщо транзистор включений за схемою ПРО, або е - якщо транзистор включений за схемою ОЕ. Крім того, збільшення вхідних і вихідних струмів і напруг потрібно замінити приростами напружень і струмів відповідних електродів транзистора з урахуванням конкретної схеми включення (рис. 9).
Значення h-параметрів залежать від режиму роботи транзистора, т. Е. Від
а б Рис. 9. Токи і напруги транзистора в схемах з ОЕ (а) і ЗБ (б)
напруг і струмів його електродів. Режим роботи транзистора ви-
Мал. 10. Визначення статичних h-параметрів транзистора по його дива-ного характеристикам
деляется на характеристиках становищем робочої точки, яку
будемо позначати в подальшому буквою А. Якщо вказано положення
робочої точки А на сімействі статичних вхідних характеристик
транзистора, включеного за схемою ОЕ (рис. 10, а), параметри h11ее і
h12е визначаються наступним чином:
Параметри h21е і h22е визначаються в робочій точці А по вихідних характеристиках (рис. 10, б) відповідно до формулами:
Аналогічно розраховуються h -параметри для схеми ПРО.
При розрахунку параметрів h12 і h21 треба струми і напруги підстав-лять в формули в основних одиницях виміру.
Параметр h21Б називають коефіцієнтом передачі струму в схемі ПРО, a h21е - коефіцієнтом передачі струму в схемі ОЕ. На відміну від статичних коефіцієнтів передачі h21Б і h21Е. розраховуються як відношення вихідного струму до вхідного в схемах ПРО і ОЕ, параметри h21Б і h21е визначаються як відносини змін ви-хідних струмів до викликав їх змін вхідних струмів. Іншими сло-вами, параметри h21Б і h21е характеризують підсилювальні властивості тран-зістора по току для змінних сигналів.