Дивитися що таке "збідненого СЛОЙ" в інших словниках:
збіднений шар - nuskurdintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. depletion layer vok. Verarmungsrandschicht, f; Verarmungsschicht, f; Verarmungszone, f rus. виснажений шар, m; збіднений шар, m pranc. couche de déplétion, f; couche ... ... Fizikos terminų žodynas
виснажений шар - nuskurdintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. depletion layer vok. Verarmungsrandschicht, f; Verarmungsschicht, f; Verarmungszone, f rus. виснажений шар, m; збіднений шар, m pranc. couche de déplétion, f; couche ... ... Fizikos terminų žodynas
Запірної СЛОЙ - (збіднений шар) шар напівпровідника зі зниженою концентрацією осн. носіїв заряду. Утворюється близько контакту з металом, гетероперехода, моноперехода (р п переходу), вільної поверхні. З відхід осн. носіїв в 3. с. виникає заряд, ... ... Фізична енциклопедія
КОНТАКТНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ - нерівноважні електронні явища, що виникають при проходженні електричні. струму через контакт напівпровідника з металом або електролітом або через контакт двох різних напівпровідників (гетероперехід) або через кордон двох областей одного і того ... Фізична енциклопедія
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР - транзистор, в до ром управління протікає через нього струмом здійснюється електричні. полем, перпендикулярним напрямку струму. Принцип роботи П. т. Сформульований в 1920 х рр. пояснюється на рис. 1. Тонка пластинка напівпровідника (канал) ... ... Фізична енциклопедія
МДП-СТРУКТУРА - (метал діелектрик напівпровідник) структура, утворена пластиною напівпровідника П, шаром діелектрика Д на одній з її поверхонь і металеві. електродом (затвором M, рис. 1). При подачі на МДП с. напруги V в напівпровіднику поблизу кордону з ... Фізична енциклопедія
p - n-ПЕРЕХІД - (електронно дірковий перехід) шар зі зниженою електропровідністю, що утворюється на кордоні напівпровідникових областей з електронної (n область) і доречний (р область) провідністю. Розрізняють гомопереход, що виходить в результаті ... ... Фізична енциклопедія
ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНІКОВИЕ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ - електроакустіч. перетворювачі, дія до яких заснована на властивостях збідненого носіями заряду тонкого шару пьезополупроводніка. Зазвичай П. п. Є вібраторами, які працюють на резонансній частоті (в діапазоні частот від 10 МГц до 75 ГГц). ... ... Фізична енциклопедія
P - n-перехід - (n negative негативний, електронний, p positive позитивний, дірковий), або електронно дірковий перехід різновид гомопереходов, Зоною p n переходу називається область напівпровідника, в якій має місце ... ... Вікіпедія