Зміна - напруга - зміщення
Зміна напруги зсуву насамперед безпосередньо впливає на величину ємності переходу ТД. [1]
Зміна напруги зсуву пов'язано в першу чергу з нестабільністю джерела живлення і параметрів елементів дільника. У порівнянні з впливом зміни гармонік і ємності Сд дану обставину є дестабілізуючим фактором другого порядку малості, особливо при зсувах 0 3 - 0 4 в, де динамічні характеристики (рис. 2 - 12) мають майже горизонтальні ділянки. [2]
Зміна напруги зсуву. необхідне для переходу до цієї нової навантаженні, є амплітуда напруги, що модулює. [3]
Для зміни напруги зсуву в автогенераторі передбачають спеціальну ланцюг автоматичного зсуву. Постійна напруга на виході цього ланцюга використовують в якості напруги зсуву підсилювального елемента. При цьому напруга зсуву визначається амплітудою напруги на виході автогенератора. [4]
Якщо зміна напруги зсуву на затворі транзистора Ti призводить до збільшення амплітуди змінного струму через транзистор, то індуктивне опір зменшується, що еквівалентно зменшенню індуктивності. Зменшення загальної індуктивності резонансної ланцюга генератора збільшує частоту генерації. При зменшенні амплітуди змінного струму транзистора Tj еквівалентна індуктивність збільшується і частота кварцованних генератора зменшується. [5]
При зміні напруги зсуву з прямого на зворотний імпеданс р-п переходу зростає не миттєво, а лише в міру того, як зникає надмірна концентрація рухливих носіїв заряду в базі. Зменшення надлишкової концентрації носіїв заряду відбувається як внаслідок рекомбінації, так і за рахунок перенесення їх через р-п перехід. При переході від зворотного зсуву до прямого проходить деякий час, протягом якого імпеданс р-п переходу знижується до своего сталого значення. [6]
При зміні напруги зсуву на сітці лампи змінюється вхідна ємність СТЗ. Так як ця ємність входить в загальну ємність контуру, то при зміні зсуву відбувається розлад контура. У нашій схемі через резистор Ri на сітку першого тріода від ланцюга АРУ подається негативна напруга, яке змінюється в залежності від інтенсивності сигналу, що приходить. При використанні описаної схеми нейтралізації частково компенсується вказане вплив зміни вхідної ємності. Це відбувається внаслідок того, що при послідовному включенні ємностей З і С вплив нестабільності ємності Сет зменшується. [7]
При зміні напруги зсуву АРУ. подається через резистор Ri, змінюється струм, що протікає через лампу Л, а отже, і через лампу Л%, що забезпечує глибоке регулювання посилення по ланцюгу АРП. [8]
Конденсатор Се виключає зміни напруги зсуву під час перехідних процесів. [9]
Базова модуляція здійснюється зміною напруги зсуву або амплітуди збудження на базі генераторного транзистора. При цьому кінцевий високочастотний каскад працює в критичному або Недонапряженіе режимах. [11]
Базова модуляція здійснюється зміною напруги зсуву або амплітуди збудження на базі генераторного транзистора. При цьому кінцевий високочастотний каскад працює в критичному і Недонапряженіе режимах. Як правило, в транзисторних передавачах не знаходить застосування модуляція одного типу і використовується комбінована модуляція. Наприклад, колекторна AM з додатковою модуляцією на один або два пред-кінцевих каскаду. [12]
При корекції частоти зміною напруги зсуву на варикапа змінюється наведена величина реактивного опору варикапа хр. [13]
Але внаслідок цього ж зміна напруги зсуву на сітці c впливає на режим роботи гетеродина (струм сітки с2), погіршуючи стабільність частоти генерованих їм коливань. Через цього недоліку лампа типу 6А8 працює погано при регулюванні її посилення системою АРУ. [15]
Сторінки: 1 2 3 4