вихідні характеристики
У МДП-транзисторах совстроенним каналом шар напівпровідника між витоком і стоком створюється при виготовленні транзистора, тобто пріUЗІ = 0 канал існує. Його товщина змінюється при зміні напруги затвор-витік: при одній полярності збільшується (режим збагачення), при іншій - зменшується (режим збідніння), аж до зникнення каналу, тобто відсічення. Позначення транзисторів з вбудованим каналом:
Передавальні характеристики Вихідні характеристики
за формою такі ж, як і у транзистора з індукованим каналом.
Еквівалентна схема МДП-транзистора така ж, як і транзистора з p-n-переходом. Але параметри значно відрізняються. Малі міжелектродні місткості: СЗІ. СЗС - одиниці пф, ССІ -частки ПФ. Дуже велике вхідний опір напруги по постійному струму - 10 12. 10 15 Ом і не залежить від полярності напруги на затворі, на відміну ОТР-n-переходу.
У МДП-транзистора стік і джерело взаємозамінні.
4.3. Застосування МДП-транзисторів
Підсилювач напруги на транзисторі з індукованим каналом.
Дільник R1, R2 задає початкове напруга на затвореUЗ.І.О .. яке забезпечує точку спокою. При наявності опору в ланцюзі стоку напруга стік-витік:
UЗІ.m UСІ.m UП
Приріст струму Ic викликає збільшення напруги на стоці:
А величина Ic відповідно до рівняння чотириполюсника
Спільне рішення дає
Таким чином, коефіцієнт посилення
Польовий транзистор як кероване опір
При невеликій напрузі стік-істокUСІ <0.5UСИ.НАС канал ведет себя как линейное сопротивление, величина которого зависит отUЗИ. Это позволяет использовать канал полевого транзистора как электрически управляемое сопротивление в различных автоматических регуляторах.