Простий підрахунок показує, що стосовно числа елементів трехтактная і двухтактная схеми приблизно рівноцінні. Найменше число елементів мають схеми рис. 9.2, в, г, але вони вимагають застосування високоякісних діодів з характеристикою, близькою до ламаної лінії ОАВ на рис. 1.12, а, зі стабільним і високим значенням Ея. Таким вимогам найбільше відповідають кремнієві діоди. [4]
Простий підрахунок показує, що в про. [5]
Простий підрахунок показує, що в якості коефіцієнтів розкладання lt можна взяти функції t j, описані в попередньому параграфі. [6]
Простий підрахунок показує, що співвідношення атомів водню і вуглецю в будь-якому з які складають цей ряд з'єднань однаково і може бути виражено загальною формулою С Н2п 2, де п - число атомів вуглецю. Всі ці сполуки, подібно метану, є граничними насиченими вуглеводнями. [7]
Простий підрахунок показує, що в наших дослідах реакція не може бути обмежена швидкістю підведення етилену до поверхні. Крім того, як показують описувані нижче досліди, поверхня каталізатора під час реакції в значній частині покрита етиленом. З іншого боку, швидкість спостережуваного процесу, невидимому, не пов'язана зі швидкістю десорбції етану в разі, якщо утворюється при реакції етан має ті ж адсорбційними властивостями, що і адсорбує з газової фази. [8]
Простий підрахунок показує, що співвідношення атомів водню і вуглецю в будь-якому з які складають цей ряд з'єднань однаково і може бути виражено загальною формулою С Н2п 2, де п - число атомів вуглецю. Всі ці речовини, подібно метану, є граничними насиченими вуглеводнями. [9]
Простий підрахунок за наведеними формулами показує, що чим менше термічний опір для чистої поверхні, тим більшою мірою воно підвищується при забрудненні. [10]
Простий підрахунок показує, що (АВ) е A (Be), причому з існування однієї з частин цієї рівності випливає існування іншої. [11]
Простий підрахунок показує, що ф е Hom (L, L) і що матриця лінійного відображення ф в базах 1 е) збігається з А. [12]
Простий підрахунок показує, що ця умова не виконується. [13]