заходи підвищення надійності. Питання забезпечення надійності і достовірно-сті через їхню важливість спеціально розглянуті в частині VI підручника. Тут лише зазначимо, що одним з напрямків, що підвищують надійність функциониро-вання підсистеми пам'яті, є використання спеціальних схем контролю та надлишкового кодування інформації.
Модулі пам'яті бувають з контролем парності (parity) і без контролю парності (поп parity) збережених бітів даних. Контроль за парності дозволяє лише про-назовні помилку і перервати виконання поточної програми. Існують і більш дорогі модулі пам'яті з автоматичною корекцією помилок - ЕСС-пам'ять, що використовують спеціальні коригувальні коди з виправленням помилок (див. Розділ «Забезпечення достовірності інформації» глави 20).
Деякі недобросовісні фірми (китайські, наприклад), з метою підвищення конкурентоспроможності своїх виробів в очах недосвідчених покупців, ставлять в модулі пам'яті спеціальний імітатор парності - мікросхему-суматор, ви-дає при зчитуванні осередку завжди правильний біт парності. У цьому випадку ніякого контролю немає, а лише імітується його виконання. Треба сказати, що ця імітація іноді і корисна, так як існують системні плати, що вимагають для своєї коректної роботи присутності біта контролю парності.
Існують наступні типи модулів оперативної пам'яті:
# 9633; RIMM. Розглянемо їх докладніше.
DIP (Dual In-line Package - корпус з дворядним розташуванням висновків) - одиночна мікросхема пам'яті, зараз використовується тільки в складі більш укрупнених модулів (в складі модулів SIMM, наприклад). SIP (Single In-line Package - корпус з однорядним розташуванням виводів) - мікросхема з од-ним поруч висновків, що встановлюється вертикально. SIPP (Single In-line Pinned Package - корпус з однорядним розташуванням дротяних висновків) - 30-контактний (контактний) модуль. Модулі SIP і SIPP зараз практично не застосовуються.
SIMM (Single In-line Memory Module) являє собою друковану плату з од-ностороннім крайовим роз'ємом типу слот і встановленими на ній совмести-мимі мікросхемами пам'яті типу DIP. Мікросхеми SIMM бувають двох різних
Глава 6. Сховище ПК
типів: короткі на 30 контактів (довжина 75 мм) і довгі на 72 контакту (довжина 100 мм). Модулі SIMM мають ємність 256 Кбайт, 1, 4, 8, 16, 32 і 64 Мбайт. Мо-дулі SIMM випускаються з контролем і без контролю по парності і з емуляцією контролю по парності. Пам'ять SIMM відрізняється також низьким бистродейст-Вієм - зазвичай вона має час звернення 60 і 70 ні. Зараз такий час обра-вання вважається небажаним, тому модулі SIMM зустрічаються тільки в застарілих ПК.
DIMM (Dual In-line Memory Module) - більш сучасні модулі, які мають 168-контактні роз'єми (довжина модуля 130 мм); можуть встановлюватися тільки на ті типи системних плат, які мають відповідні роз'єми. Появле-ня DIMM стимулювалося випуском процесорів Pentium, мають 64-бито-ву шину даних. Необхідна кількість модулів пам'яті для заповнення шини називається банком пам'яті. У разі 64-розрядної шини для цього потрібно два 32-бітових 72-контактних модуля SIMM або один 64-бітовий модуль DIMM, що має 168 контактів. Модуль DIMM може мати розрядність 64 біта (без контролю парності), 72 біта (з контролем парності) і 80 бітів (пам'ять ЕСС). Ємність модулів DIMM: 16, 32, 64,128, 256 і 512 Мбайт. Час звернення, харак-терни для сучасних модулів DIMM, що працюють на частоті 100 і 133 МГц (модулі PC 100, PC 133), лежить в межах 6-10 ні.
RIMM (Rambus In-line Memory Module) - новітній тип оперативної пам'яті. Поява технології Direct Rambus DRAM зажадало нового конструктив-ного виконання для модулів пам'яті. Мікросхеми Direct RDRAM збираються в модулі RIMM, зовні подібні стандартним DIMM, що, до речі, і знайшло відо-ються в назві модулів нового конструктиву. На платі модуля RIMM може бути до 16 мікросхем пам'яті Direct RDRAM, встановлених по вісім штук з кожного боку плати. Модулі RIMM можуть бути використані на системних платах з форм-фактором ATX, BIOS і чіпсети яких узгоджені з даним типом пам'яті. Серед мікросхем фірми Intel це чіпсети i820, i840, 1850 і їх модифікації. На системній платі передбачається до чотирьох роз'ємів під дані модулі. Необхідно відзначити, що модулі RIMM вимагають інтенсивно-го охолодження. Це пов'язано зі значним енергоспоживанням і, відпо-венно, виділенням тепла, що обумовлено високою швидкодією даних модулів пам'яті (час обігу 5 ні і нижче). Хоча зовні модулі RIMM нагадують модулі DIMM, вони мають менше число контактів і з обох сторін закриті спеціальними металевими екранами, які захищають модулі RIMM, що працюють на високих частотах, екрануючи їх чутливі елек-тронні схеми від зовнішніх електромагнітних наведень. В даний час спе-ціфікаціі визначають три типи модулів, що розрізняються робочими частотами і пропускною спроможністю. Позначаються вони як RIMM PC800, RIMM PC700, RIMM PC600. Найбільш швидкодіючими є модулі RIMM PC800, що працюють з чіпсетом i850 на зовнішньої тактовою частотою 400 МГц і мають
пропускну здатність 1,6 Гбайт / с. Модулі RIMM PC600 і RIMM PC700 призначені для роботи на підвищених частотах шини пам'яті, наприклад на частоті 133 МГц, підтримуваної сучасними чіпсетами.
Розрізняють такі типи оперативної пам'яті: